ЗАПИСЬ ГОЛОГРАММ В РЕАЛЬНОМ ВРЕМЕНИ
В.Н.Синцов
Успешное применение голографии для построения оптических систем вычислительных машин и когерентных систем обработки оптической информации невозможно без создания материала для регистрации голограмм в реальном времени. Сформулированы требования к такому материалу. Выполнен анализ опубликованных данных о свойствах различных регистрирующих сред (фотохромные пленки и кристаллы, сегнетоэлектрики, термопластические слои, магнитные пленки, фотополимеры, нелинейные красители и полупроводники и пр.). Наиболее пригодны для записи и стирания голограмм в реальном времени ферроэлектрики и ферроэлектрико-полупроводниковые структуры, термопластичеокие слои и нелинейные среды) для других материалов, как правило, возможна быстрая запись, но стирание голограмм замедлено. Рассмотрены перспективы и особенности использования этих материалов в оптических запоминающих устройствах и в системах ввода двухмерной информации в оптические процессоры.
В в е д е н и е
Оптическая запись информации представляет собой наиболее древний способ записи информации, используемый человеком. Наскальная живопись относится к 400 веку до нашей эры, а первобытная письменность датирована примерно 35 веком до н.э. Запись оптических изображений перешла из сферы искусства в технологическую сферу с изобретением камеры обскуры, оптических систем и фотографического процесса, и за 120 лет, истекшие с момента изобретения дагерротипии Ньепсом и Дагерром, развивалась
эволюционным, сравнителъно медленным путем. С момента создания лазера, изобретения голографии, быстрого развития систем когерентной оптической обработка ин-
формации, систем модуляции и сканирования лазерного излучения происходит революционный взрыв и в методах записи оптической информации, в первую очередь, информации, записанной в виде картины интерференции световых волн. Применение голографических принципов для создания запоминающих устройств большой емкости, для создания когерентных оптических процессоров, осуществляющих быструю обработку и фильтрацию оптических изображений, потребовало создания систем, позволяющих производить запись и стирание голограмм немедленно, в реальном времени, со скоростью, соответствующей темпу вычислительных операций, выполняемых средствами электроники, и в ряде случаев без изъятия или замены плоскости регистрации из ее первоначального положения в оптической системе. Успешное решение проблемы записи и стирания голограмм в реальном масштабе времени зависит, главным образом, от создания подходящего регистрирующего материала или устройства. Регистрирующий материал должен обеспечивать устойчивость регистрограммы во времени, а также при специфических условиях, характерных для процесса считывания информации; высокие постоянные характеристики регистрограммы (чувствительность, дифракционная эффективность, отношение сигнал/шум); приемлемые характеристики при стирании (полное стирание без явлений гистеризеса, остаточной памяти или усталости), а само стирание, а также проявление и фиксирование (или аналогичные им операции) должны предпочтительно осуществляться на месте.
В настоящее время неизвестны регистрирующие материалы, обладающие вовы необходимым комплексом свойств для записи голограмм в реальном времени. К регистрирующим материалам, которые наиболее благоприятно сочетают постоянство записи, способность к ее стиранию и повторной записи, относятся фотополупроводниково-термопластические слои и магнитные пленки. Голограммы, записанные на этих материалах, устойчивы при комнатной температуре
, но легко стираются, в первом случае - повышением температуры, во втором - наложением магнитного поля. После стирания возможна запись новых голограмм на тех же участках пленок. Ряд материалов сегодня в состоянии обеспечить выполнение лишь части перечисленных требований; так, на фотохромных кристаллах не всегда достигается стабильная запись, дифракционная эффективность голограмм, записанных на маг-
нитных пленках, обычно не превышает 0,1%, пространственное разрешение термопластических слоев сосредоточено в относительно узкой полосе частот, фотохромные органические пленки после многократного повторения цикла запись-считывание устают; голограмма, записанная на нелинейных красителях, существует лишь в течение времени воздействия записывающего импульса и т.д. Тем не менее, существуют несомненные перспективы развития этих материалов и способов их использования.
Рассмотрим физические основы записи голограми и особенности этих материалов.
1.
Магнитные пленки /1-20/
Запись голограмм на магнитных пленках основана на нагревании тонкой (300-700 нм) ферромагнитной пленки Мnbi до температуры, превышающей точку Кюри; нагретые участки пленки при охлаждении меняют знак намагниченности. Для считывания используются магнитооптические эффекты Фарадэя или Керра, приводящие к вращению плоскости поляризации прошедшего или отраженного света, из-за теплового характера записи для достижения высокого разрешения необходимо, чтобы длительность записывающего импульса была короче, чем постоянная времени процесса расплывания температурного рельефа, т.е. практически порядка 100 нсек. Для стирания пленка вновь намагничивается. Недостатками этого материала являются необходимость использования достаточно мощных лазеров для записи, малая дифракционная эффективность голограммы. Были изучены также пленки железо-гадолиниевого граната и окиси европия euo /21,22/.
2.
Сегнетоэлектрические кристаллы /25-38/
Некоторые прозрачные сегнетоэлектрические кристаллы под действием интенсивного лазерного излучения изменяют коэффициент преломления. К этим кристаллам относятся linbo3 (чистый и легированный fе), litao3, Ва0,75sr0,25nb2o6, ba2nanb5o15 (легированный fe или mo). Механизм записи основан на том, что в участках с высокой освещенностью электроны, выбрасываемые светом в
зону проводимости, под действием внутреннего поля, присутствующего в кристалле и параллельного его С-оси, смещаются на малое расстояние и, попадая в участок с низкой освещенностью, захватываются ловушками. Такое перераспределение приводит к образованию локального электрического поля между перезахвачеаными электронами и их ионизованными донорными центрами. Вследствие электрооптического эффекта, характерного для этого класса кристаллов, локальное электрическое поле, в свою очередь, вызывает локальное изменение коэффициента преломления, причем, для получения изменения порядка 2*10-5 необходимо около 1000 в/см. Преимуществом является регистрация чиото фазовой голограммы с достижением высокой дифракционной эффективности (в экспериментах до 80%). Стирание выполняется либо освещением, либо нагреванием кристалла до температуры около 800°С. Разработан процесс "фиксирования", основанный на нагревании кристалла до температуры около 100°С, что приводит к замене электронной структуры записанной голограммы на ионную. Фиксирование происходит также при наложении электрического поля.
3.
Фотохромные материалы /39-62/
Эти материалы темнеют после облучения, обычно коротковолнового. Простая модель фотохромного кристалла исходит из существования двух классов примесных центров (рис.1). В исходном состоянии материал поглощает только в коротковолновой части спектра, оставаясь прозрачным для видимого света. Поглощение света приводит к переходу электронов от одного класса примесных центров в полосу проводимости с последующим захватом вторым классом примерных центров. В этом состоянии материал поглощает свет в видимой области. Возвращение к исходному состоянию происходит при тепловой релаксации или оптическом обесцвечивании, вызываемом длинноволновым облучением в полосе наведённого поглощения. Электроны вновь выбрасываются в зону проводимости и захватываются на первых центрах. Для записи используются как процесс потемнения, так и процесс выцветания. Дифракционная эффективность достигает нескольких процентов.
Преимуществом этих материалов является особо высокая разрешающая способность, недостатками - малая чувствительность, самопроиз-
Рис.1. Схема примесных центров в фотохромном материале.
вольное выцветание изображения. Кроме того, материал, на котором записана голограмма, остается чувствительным к свету, длина волны которого лежит в полосе поглощения, независимо от того, попадает ли этот свет на голограмму случайно или в процессе считывания, что также приводит к разрушению записи. Для многих органических фото-хромных материалов отмечено явление усталости при многократной записи.
К фотохромным материалам принадлежат фотохромные стекла, кристаллы srtio
3(fe,mo), baf
2(la), Саf3(lа,Се), nacl, kbr, органические фотохромные пленки на основе спиропирановых красителей, флуоресцеин в матрице из стеклообразной борной кислоты и др.
4.
Испаряются металлические пленки /63-66/
Запись основана на испарении тонкой (7,5 - 20 нм) пленки металла (au, al, bi) на стеклянной подложке под действием импульса лазерного излучения. Была достигнута дифракционная эффективность порядка 6%. Метод, в сущности, пригоден лишь для быстрой разовой записи бинарных голограмм, хотя предпринимались попытки сделать его многоразовым, либо вновь напыляя равномерную пленку воздействием второго лазерного импульса, либо испаряя не сам слой метал-
ла, а тонкую пленку окислов, образующуюся на его поверхности при анодировании в ходе непрерывного электролитического анодирования (в этом случае металлическая пластинка помещается в ванну с электролитом; стирание достигалось за секунды для Та или Аl). Фотоанодное травление использовалось также для регистрации голограмм на поверхности пластин и монокристаллического кремния /67/.
5.
Структуры с использованием полупроводниковых слоев
а) Фотополупроводниково-сегнетоэлектрические
структуры /68-71/
Такие структуры представляет собой монокристалл Вi
4Тi3o
12, на поверхность которого нанесен слой фотопроводящего znse; эта структура с обеих сторон покрыта тонкими полупрозрачными слоями золота, выполняющими функции электродов (рис.2). При освещении многослойной структуры и одновременном наложении разности потенциалов на электроды под действием локально неоднородного (в соответствии с распределением освещенности) электрического поля происходит локальное изменение магнитооптических свойств (переключение состояния внутренней устойчивости поляризации) Вi4Тi3o
12 приводящее к возникновению модуляции свата по фазе или двулучепреломлению. Считывание может осуществляться как поляризационным, так и
Рис.2. Схема записи информации на фотополупроводниково-сегнетоэлектрической структуре.
фазовым методом, в зависимости от направления поляризации; во втором случае дифракционная эффективность возрастает на два порядка по сравнению с первым, но все же остается низкой (0,01%). Для стирания записи на нее одновременно накладывается свет и импульс напряжения противополоиной полярности. Вместо Вi
4Тi3o
12 использовались также пластинки поликристаллической керамики на основе титаната и цирконата свинца, легированного la и подвергнутого механическому напряжению.
б) Фотополупроводниково-термопластические
структуры /72-78/
Процесс записи голограммы на термопластической пленке основан на деформации поверхности этой пленки в соответствии с распределением интенсивности света в голографической интерференционной картине. Термопластические слои, как правило, не светочувствительны, и их объединяют с фотопроводящей пленкой в единую структуру, реагирующую на освещение. Такая структура обладает сравнительно высокой чувствительностью во всей области спектра и не требует длительной обработки, голограммы устойчивы и имеют приемлемую дифракционную эффективность; они могут быть стерты и запись повторена многократно. Кроме того, записанная на них голограмма по своим свойствам близка к идеальной фазовой голограмме и отсутствие брэггoвской дифракции на ней оказывается весьма полезным при построении голографических запоминающих устройств. Стирание производится нагреванием при приложении импульса тока.
Наиболее изучена структура из нанесенных на поверхность подложки с прозрачным проводящим слоем (стеклянной пластины со слоем окиси олова) последовательности слоем фотопроводника и термопластика.
Характерной особенностью этих структур является то, что их полоса передачи пространственных частот ограничена по спектру с обеих сторон. При многократном использовании иногда наблюдается эффект усталости. Было предложено такве устройство "динатрон" для преобразования электронного рельефа в фазовую световую модуляцию, что открывает возможности скоростного ввода некогерентной информа-
ции в когерентные оптические процессоры /79/. Аналогичные устройства были предложены также с использованием электрооптических кристаллов /80,81/.
Рассмотрим последовательность операций в цикле запись-стирание на фотопроводниково-термопластическом материале (рис.3). Перед
Рис.3. Схема записи информации на фотополупроводниково-термопластической структуре.
экспонированием материал в темноте подвергается очувствлению путем наложения однородного по площади заряда на поверхность термопластика по отношению к прозрачному проводящему слою. Устройство коронного разряда ионизирует воздух вблизи поверхности термопластика. Позитивные ионы, притягиваемые к заземленному прозрачному проводящему слою, осаждаются
на поверхности термопластика и удерживаются отрицательными зарядами, индуцированными на прозрачном проводящем слое.
На втором этапе экспонирования световая картина накладывается на прозрачную регистрирующую структуру и происходит разрядка фотопроводника в соответствии с пространственным распределением интенсивности экспонирующего света. В разряженных участках потенциал уменьвается и электрона осаждаются на нижней поверхности термопластического слоя, что приводит к падению потенциала, измеряемого
на верхней поверхности слоя. На третьем этапе слой снова подвергается зарядке с помощью коронного разряда; в тех участках, где экспонирование привело к разрядке фотопроводника, электрическое поле возрастает, образуя пространственно меняющееся распределение поля при постоянном потенциале поверхности. На четвертом этапа на слой термопластика кратковременно воздействуют теплом, поднимая его температуру до значения, близкого к точке размягчения или плавания, обычно между 60° и 100°С. При этой температуре термопластик деформируется под действием локальных электрических полей, и толщина его уменьшается в сильно экспонированных участках и возрастает в слабо экспонированных. При быстрой охлаждении до комнатной температуры эти деформации замораживаются, и голограмма фиксируется в виде пространственного распределения толщины прозрачного слоя термопластика. Для стирания слой нагревают до температуры, превышающей температуру проявления, или выдерживают при температуре проявления более длительное время. При этом силы поверхностного
натяжения размягченного или расплавленного слоя термопластика сглаживают рельеф толщины и стирают ранее записанную голограмму, а электростатические заряды полностью нейтрализуются.
В качестве фотопроводника используют, например, поливинилкар-базол, в качестве термопластика - различные органические полимеры типа древесной смолы, полистирола и пр.
в) Фотополупроводниково-эластомерные структуры /82/
При замене слоя термопластика на слой эластомера, подвергающегося обратимой деформации в электростатическом поле, также может быть создана система записи голограмм в реальном времеяи, получившая название "рутикон". В этом случае сверху на слой эластомера наносится электрод, который должен быть также способен к деформации, например, жидкий, газовый или тонкая гибкая
страдающая металлическая пленка. Такая голограмма работает на отражение. Для стирания изображения электрическое поле, накладываемое при записи, снимается.
г) Фотополупроводниково-жидкокристаллические
структуры /85-86/
Запись оптической информации в тонких слоях наматических жидких кристаллов основана на эффекте динамического рассеяния света; при приложении постоянного или низкочастотного электрического поля к жидкокристаллическому слою он из прозрачного становится сильно рассеивющим. Сочетание такого слоя
с тонкой пленкой фотопроводника между двумя проводящими электродами и создает структуру, способную записывать оптическую информацию. При освещении фотопроводящего слоя сопротивление его падает, напряженность, прикладываемая к жидкокристаллическому слою, возрастает, и слой начинает рассеивать свет. Для стирания изображения прикладывается высокочастотное (несколько кГц) поле. Эти структуры также позволяют произвести переход некогерентного оптического изображения в безынерционный транспарант для использования в оптических процессорах, а в сочетании с веркальным слоем построить систему постраничной памяти с избирательный считыванием (рис.4).
Рис.4. Принципиальная схема управляемой матрицы оптической памяти на основе фотополупроводниково-жидкокристаллической структуры.
д) Фотопроводниково-электрооптические ячейки
Покельса /87-88/
Эти ячейки состоят из слоя монокристалла bi
2siО20 или zns, на который с двух сторон нанесены изолирующие слои и прозрачные электроды; в последнем случае вместо одного прозрачного электрода к кристаллу zns примыкает кристалл gаas, в котором с внешней стороны вытравлено окно до такой толщины, что оставшийся слой gаas стал прозрачным (рис.5). При наложении постоянного напряжения на такую структуру и освещении ее распределение освещенности
Рис.5. Принципиальная схема двух вариантов фотопровод- никово-электрооптической ячейки Покельса.
приводит к локальной модуляции приложенного напряжения и, в соответствии с этой модуляцией, к изменению фазы при прохождении через кристалл поляризованного света (рис.6,7). Однако, здесь не требуется нанесения дополнительного слоя фотопроводника, поскольку сами перечисленные кристаллы наряду с электрооптическими свойствами, обладают фотопроводимостью. Дифракционная эффективность испытанных устройств доходит до 34%, частота записи и стирания - до 1 кГц, время хранения изображения в темноте до нескольких часов.
Рис.6. Принципиальная схема записи информации при помощи ячейки Покельса.
Рис.7. Принципиальная схема считывания информации с ячейки Покельса.
6.
Нелинейные среды /89-98/
Было описано получение динамических голограмм в тонких слоях раствора нелинейного красителя, просветляющегося под действием гигантского импульса лазерного излучения. Эти голограммы существуют лишь во время воздействия импульса излучения. Таким способом могут быть получены не только амплитудные, но и фазовые голограммы; кроме того, возможна регистрация не только в тонких слоях раствора, но и на поверхности твердых тел, например, кремния, проводимость и коэффициент отражения которого возрастают при воздействии лазерного импульса.
З а к л ю ч е н и е
Параметры различных материалов и устройств для записи голограмм в реальном времени приведены в таблице 1. Данные, содержащиеся в таблице, помимо оригинальных работ, основаны на материалах обзорных статей /99-103/. В этой же таблице приведены данные о критерии качества, предложенном Амодеем с соавторами /103/ и основанном на следующем выражении:
где k - критерий качества; r- разрешение, штрихов/мм; η - дифракционная эффективность, %; Н - экспозиция, необходимая для записи, мДж/см
2.
Такая оценка, разумеется, является лишь ориентировочной. Из описанных сред наиболее перспективны для записи голограмм в реальном времени, по-видимому, полупроводниковые структуры различных типов, магнитные пленки и сегнетоэлектричеокие кристаллы. Однако, мы намеренно не приводили данные о доступности или сравнительной стоимости тех или иных материалов и устройств; большинство из них еще не вышло из стадии лабораторных исследований и простейших макетов, хотя несомненно,
что эти методы найдут широкое применение в технической голографии завтрашнего дня.
Таблица
1
Свойства материалов и систем для записи голограмм в реальном времени
Л и т е р а т у р а
1. l.mayer, j.appl.phys., 29, 1003, 1054, 1958.
2. d.chen, j.f.ready, e.bernal. j.appl.phys., 39, 3916, 1968.
3. r.s.mezrich, appl.phys.lett., 14, 132, 1969; nerem-70 rес., 12, 158, 1970; ieee trans. magn., 6, 537, 1970; dig. interning. conf., wash., d.c., 8/1,1970; appl.optics, 9, 2275, 1970.
4. r.s.mezrich, h.schachter. isr.j.technol., 9, 267, 1971.
5. r.w.cohen, r.s.mezerich. r.c.a. rev., 33, 54, 1972.
6. h.m.haskal. ieee trans.magn., 6, 542,1970.
7. g.y.fan. k.pennington, j.h.greiner. j.appl.phys., 40, 974, 1969.
8. t.c.lee, d.ghen. appl.phys.lett., 19, 62, 1971.
9. Т.С.lee. appl.optics, 11, 384, 1972.
10. j.w.beck. proc.ieee, 57, 1223, 1969.
11. Л.М.Клюкин, Б.М.Степанов, В.А.Фабриков, А.В.Хромов. Фотографирование на магнитные пленки. М., Атомиздат, 1971.
12. Л.М.Клюкин и др. Ж.научн.прикл.фотогр.кинематогр.,
14, 286, 1969;
17, 68, 1972.
13. Л.М.Клюкин, Н.М.Померанцев, В.А.Фабриков. Изв.АН СССР, сер.физ.,
31, 386, 1967.
14. Л.М.Клюкин. В.А.Фабриков, А.В.Хромов. Письма в ЖЭТФ,
8, 406, 1968; в сб. "Пробл. передачи информ. лазерн. излуч." Киев, 486, 1969.
15. Т.М.Мурина и др., Ж.научн.прикл.фотогр. и кинематогр.,
15, 367, 1970.
16. Л.М.Клюкин и др., Ж.научн.прйкл. и фотогр.кинематогр.,
16, 369, 1971.
17. Ю.П.Егоров и др. Ж.научн.прикл.фотогр. и кинематогр.,
16, 443, 1971.
18. Л.М.Клюкин и др. Радиотехн. и электроника,
17, 1114, 1972.
19. Е.А.Подпалый. Тр.Моск.ин-та инж. ж.-д. трансп., вып3б7, 244,
1970.
20. Е.А.Подпалый, В.А.Фабриков. "Опт. и спектроскопия",
33, 168,1972.
21. n.goldberg, ieee trans.magn., 3, 605, 1967.
22. d.i.tehernev, g.w.lewicki. ieee trens.magn., 4, 75, 1968.
23. a.ashkin et al., appl.phys.lett., 9, 72, 1966.
24. f.s.chen, j.t.macchia, d.b.fraser. appl.phys. lett., 13, 223, 1968.
25. r.g.smith et al., j.appl.phys., 39, 4600, 1968.
26. l.h.lin. proc.ieee, 57, 252, 1969.
27. h.l.townsend, j.t.lamacchia. j.appl.phys., 41, 5188, 1970.
28. g.e.petersen, a.m.glass, t.j.negran. appl.phys.lett., 19, 130, 1971.
29. t.k.gaylord, t.a.rabson, f.k.tittel. appl.phys.iett., 20, 47, 1972.
30. f.micheron et al., c.r.acad.sci., 274, b361, 1972.
31. Н.Б.Ангерт, В.А.Пашков, Н.М.Соловьева. Ж.эксперим.и теор.физ., 62, 1666, 1972.
32. j.b.thaxter. appl. phys. lett., 15, 210, 1969.
33. f.s.chen. j.appl.phys., 40, 3389, 1969.
34. j.j.amodei. appl.phys.lett., 18, 22, 1971; rca rev., 32, 185, 1971.
35. f.micheron, g.bismuth. appl.phys.lett., 20, 79, 1972.
36. j.j.amodei, d.l.staebler. appl. phys. lett., 18, 540, 1971; ieee trans. sonics and ultrasonics, 19, 107, 1972; fеггоelectrics, 3, 107, 1972; rca rev., 33, 71, 1972, j.appl.phys., 43, 1042, 1972.
37. j.j.amodei, w.phillips, d.l.staebler. appl.opt., 11, 390, 1972; rca rev., 33, 94, 1972.
38. j.j.amodei, d.l.staebler, a.w.stephens. appl.phys.lett., 18, 507, 1971.
39. g.jackson. optica acta, 16, 1, 1969.
40. o.s.herman. proc.symp.mod.optics, brooklyn polytechn. press, n.y., 743, 1967.
41. j.p.kirk. appl.opt., 5, 1684, 1966.
42. w.j.baldwin. appl.opt., 6, 1428, 1967.
43. g.p.smith. j.photogr.sci., 18, 41, 1970.
44. Ю.В.Ащеулов, В.И.Суханов."Оптика и спектроск.", 30, 1148, 1971.
45. К.А.Гарибашвили, В.В.Мумладзе, О.А.Чихладзе. Приб. и техн. эксперимента, № 5, 190, 1968.
46. a.s.mackin. appl.opt., 9, 1658.
47. d.huhn, w.martieenssen. opto-electron., 2, 47, 1970.
48. u.chomat, u.miler, i.gregora. opt.commun., 4, 243, 1971.
49. j.j.amodei, d.r.bosomworth. appl.opt., 8, 2473, 1969.
50. d.r.bosomworth, h.j.gerritsen. appl.opt., 7, 95, 1968.
51. r.c.duncan, b.w.faughnan, w.phillips. appl.opt., 9, 2236, 1970.
52. z.j.kiss. ieee j.quant.electron., 5, 12, 1969. phys.today, 23, 42, 1970.
53. r.c.duncan. rca rev., 33, 248, 1972.
54. d.l.staebler, z.j.kiss. appl.phys.lett., 14, 93, 1969.
55. b.w.faughnan, z.j.kiss. phys.rev.lett., 21, 1331, 1968.
56.
А.Л.Микаэлян и др., Докл. АН СССР. 181, 1105, 1968. ieee j.quant.electron.,
4, 757, 1968.
57. g.d.baldvin. appl.opt., 8, 1439, 1969.
58. d.l.lo, d.m.manilcowski, m.m.hanson. appl.opt., 10, 978, 1971.
59. m.lescinsky, m.Мiler. opt.commun., 1, 417, 1970.
60. t.a.shankoff. appl.opt., 8, 2282, 1969.
61. П.П.Феофилов. Оптико-механич.пром-сть, № 12, 62, 1968.
62. d.l.ross. appl.opt., 10, 571, 1971.
63
. А.П.Комар, М.В.Стабников, Б.Г.Турухано, Н.Турухано. Опт. и спектроскопия, 23, 827, 1967.
64. j.j.amodei, r.s.mezerch, appl.phys.lett., 15, 45, 1969.
65.w.t.maloney, j.b.thaxter. appl.opt., 11, 2293, 1972.
66. d.maydan. bell.syst.tecn.j., 50, 1761, 1971.
67. a.l.dalisa et al. appl.phys.lett., 17, 208, 1970.
68. s.e.cummins. proc.ieee. 55, 1536, 1967.
69. j.r.maldonaldo, a.l.meitzler. Рrос.iЕeЕ, 59, 368, 1971.
70. j.r.maldonaldo, l.k.andersen. ieee trans. electron dev., 18, 774, 1971.
71. s.a.keneman et al. appl. phys. lett., 17, 173, 1970; appl, opt., 9, 2279, 1970; ferroelectrics, 1, 227, 1970; 3, 131, 1972.
72. j.c.urbach, r.w.meier. appl.opt., 5, 666, 1966.
73. d.ostrowsky, m.poindron. rev.techn.thomson-csf, 3, 655, 1971.
74. j.c.bellamy et al. appl.opt., 10, 1458, 1971.
75. А.А.Костюк и др.,
Метрология, № 9, 52, 1971.
76. t.l.credelle, f.w.spong. rca.rev., 33, 206, 1972.
77. l.h.lin, h.l.beauchamp. appl.opt., 9, 2083, 1970.
78. r.a.bartolini et al. appl.opt., 9, 2283, 1970.
79. r.j.doyle, w.e.glenn. ieee trans. electron dev., 18, 739.
80.
Т.А.Кулиев, Е.Р.Мустель, В.Н.Парыгин. В сб.Пробл.передачи информ.лазерным излуч., Киев, 328, 1968.
81. g.g.goetz. appl.phys.lett.,.17, 63, 1970.
82. h.k.sheridon. ieee internal.electron dev.mtg., wash., 1970.
83. j.a.raichman. j.appl.phys., 41, 1376, 1970.
84. g.assouline, m.hareng, e.leiba. proc.ieee, 59, 1355, 1971.
85. j.a.castellano. rca rev., 33, 296, 1972.
86. t.d.beard et al. soc.phot.sci.eng. 3rd symp.unconvent. photograf syst., wash., d.c., 83, 1971.
87. d.s.oliver et al. appl.phys.lett., 17, 416, 1970; 18, 325, 1971; ieee trans electron dev., 18, 9, 1971; appl.opt., 11, 2752, 1972.
88. p.nisenson, s.iwasa. appl.opt., 11, 2760, 1972.
89. b.j.gerritsen. appl.phys.lett., 10, 239, 1967;
Ргос.sуmр. mod.optice, brooklyn politechn.press, n.y., 109, 1967.
90. А.С.Рубанов, Е.В.Ивакин. Докл.АН БССp,
14, 506, 1970. Докл. АН СССР, 196, 567, 1971;
Ж.прикл.спектр., 15, 543, 1971.
9l. h.eichler et al. z.angew.phys., 27, 4, 1969; 28, 306, 1970; 31, 1, 1971; appl.opt., 11, 372, 1972.
92. j.p.woerdeman. phys.lett., a30, 35, 1970; opt.commun., 2, 212, 1970.
93. Е.И.Штырков. Письма в ЖЭТФ, 12, 134, 1970.
94. k.О.hill. appl.opt., 10, 1695, 1971.
95. w.b.gauster, j.c.bushnell. j.appl.phys., 41, 3850, 1970.
96. v.i.little. microscopy, 32, 61, 1971.
97. r.i.scarlett. phys.rev.lett., 26, 364, 1971.
98. p.y.key et al. ieee j.quant.electron., 6, 641, 1970.
99. В.Н.Синцов. Ж.научн.прикл.фотогр.кинематогр., 15, 298, 1970; в сб."Матер.2-Й Всес.школы по голографии", Л., 307, 1971; в сб."Матер.3-й Всес.Школы по голографии", Л., 386, 1972.
100. p.p.hanson. photogr.sci.eng., 14, 438, 1970.
101. s.l.norman. opt.spectra, 4, 10, 26, 1970.
102. j.d.magerum. soc.photogr.sci.eng. 3rd symp.unconvent. photogr.syst., wash., d.c., 54, 1971.
103. j.bordogna, s.a.keneman, j.j.anodei, rca rev., 33, 227, 1972.
