ИСПОЛЬЗОВАНИЕ НЕОБЫЧНЫХ РЕГИСТРИРУЮЩИХ

СРЕД В ГОЛОГРАФИИ

В.Н.Синцов

Фотографические материалы на основе галогенидов серебра обладают с точки зрения голографии определёнными недостатками: пространственными шумами, нелинейностью отклика, недостаточно высоким разрешением, ограниченностью спектральной области чувствительности, фазовыми искажениями, необходимостью проведения длительной химико-фотографической обработки, усадкой и пр. Поэтому, наряду с задачей усовершенствования высокорзарешающих галогенидосеребряных фотографических слоев, не менее важна и актуальна задача разработки и исследования новых, "необычных" регистрирующих сред для голографии.

Все существующие среды для регистрации голограмм могут быть разделены на три группы в соответствии с теми эффектами, которые лежат в основе процесса регистрации:

1) среды, использующие фотохимические эффекты;

2) среды, использующие тепловые эффекты;

3) среды, использующие нелинейные оптические эффекты.

К первой группе относятся фотохромные стекла, кристаллы и органические плёнки, слои йодистого свинца, слои фоторезистов, слои хромированного желатина, фотополимеризующиеся и, несколько условно, термопластические слои.

Ко второй группе относятся мелкодоменные магнитные плёнки, испаряющиеся металлические плёнки, желатиновые слои, эвапорографические слои, термохромные слои, термографические экраны, везикулярные плёнки, жидкокристаллические слои, объёмные дифракционные решётки и галогенидо-серебряные фотослои, предварительно засвеченные и пропитанные охлаждённым проявителем.

К третьей группе относятся растворы нелинейных красителей (крилтоцианинов), кристаллы ниобата или тантала лития. Сюда же примыкают среды, использующие нелинейные параметрические эффекты.

1. Регистрирующие среды,

использующие фотохимические эффекты

1. Фотохромные стёкла. Свойства фотохромных стекол достаточно подробно описаны в литературе /1-3/ в работе Керка /4/ сообщалось об успешной регистрации толстослойных амплитудных голограмм на фотохромном стекле фирмы corning (США), содержащей йодистое серебро. Для получения голограмм использовалась линия 488 нм аргонового лазера. Позднее Болдуин /5/ определил предельную разрешавшую способность фотохромного стекла путём записи голограму двух плоских волновых фронтов, сходящихся под переменным углом. В этих опытах пластина фотохромного стекла подвергалась предварительному экспонированию УФ облучением, а действие луча гелий-неонового лазера (632,8 нм) приводило к локальному просветлению участков, потемневших при воздсействии УФ излучения, Болдуин указал, что предельная информационная ёмкость фотохромных стёкол, рассчитанная из размеров отдельного микрокристалла галогенида серебра (5-10 нм) и расстояния между кристаллами (50-100 нм), составляет 10¹²- 10¹³ бит/мм³. Время рассасывания потемнения при комнатной температуре сильно зависит oт состава стекла и термической предыстории образца; снижение температуры приводит к резкому возрастанию времени хранения записанной информации. Возможно многократное использование стекла; стирание голограммы производится при нагревании стекла до температуры 200°с и выше.

2. Фотохромные кристаллы. Ван-Хеердеи впервые указал на принципиальную возможность применения щелочно-галоидных кристаллов для регистрации объёмных голограмм /6/. Позднее были опубликованы сообщения о применении для регистрации голограмм кристаллов К Вr, предварительно подвергнутых действию жесткого гамма-излучения /7-13/. При воздействии гамма-излучения г кристалле возникают f-центры, разрушающиеся под действием света: максимум поглощения f-центров близок к 630 нм, что соответствует линии излучений гелий-неонового лазера. Бало обнаружено, что снижение

температуры кристалла до -196°С как при регистрации голограмм, так и при реконструкции изображения приводит к улучшению качества изображения /11/. Для стирания голограммы кристалл подвергают УФ облучению (225 нм), после чего возможна повторная запись. УФ облучение переводит u-центры (атомы водорода с одним захваченным электроном, расположенные в решётке вместо Вr^-) в f -центры (электроны, расположенные в решётке вместо br^-).

В работе /14/ описано получение объёмных амплитудных голограмм на кристаллах Са f₂, , легированных la и Се /15/, и sr ti o₃, легированных fe+Мо или ni+mo. Кристаллы подвергались предварительному УФ облучению при помощи ртутной лампы; это облучение приводило к возрастанию их оптической плотности на 0,05-0,3. Облучение их светом с длиной волны 450-750 нм приводило к обесцвечиванию. Время хранения информации для различных образцов кристаллов менялось от нескольких минут до недели.

Описанные кристаллы, как, впрочем, и все обратимые фотохромные среды, имеют тот недостаток, что считывание записанной на них информации приводит к разрушению записи, поскольку неэкспонированные участки кристалла сохраняют свою светочувствительность. Неразрушающее считывание может быть выполнено при охлаждении кристалла. Может быть также применено дополнительное облучение кристалла, приводящее центры светочувствительности в неактивное состояние. Наконец, для считывания может быть использовано излучение, не производящее фотохимического действия, однако при этой из-за изменения длины волны масштаб реконструированного изображения меняется и аберрации его возрастают.

Для записи голограмм могут быть использованы также кристаллы или стёкла, легированные химически различающимися активаторными центрами /16/ Воздействие на такие кристаллы излучения с длиной волны, соответствующей одной из полос поглощения восстановленного активатора, приводит к фотопереносу электрона от восстановленного к окисленному активатору. Этот процесс приводит к изменению первоначально равномерного по объему кристалла поглощения в поло-

саx поглощения любого из активаторов. Запись может производиться многократно; стирание голограммы осуществляется путем равномерного освещения или нагрева кристалла. Характерным примером среды с фотопереносом заряда является кристалл sr f₂, содержащий sm и nd .

3. Фотохромные органические пленки. Фотохромные плёнки, представляющие собой молекулярный раствор органического красителя, например спиропирана, в подходящей полимерной матрице были использована для записи тонко слойных амплитудных голограмм, создаваемых излучением гелий-неонового лазера /17-18/. Плёнка предварительно подвергалась УФ облучению; что приводило к её потемнению. При воздействии излучения лазера происходило её обесцвечивание. Плёнки могут быть использованы многократно, однако при

частом повторении цикла запись-стирание могут наблюдаться явления усталовсти /19-22/.

4. Слои йодистого свинца. Для получения тонкослойных амплитудных голограмм была успешно использованы слои Рb i₂, толщиной 0,05-0,15 мкм, нанесенные на стеклянную подложку, предварительно покрытую тонким слоем серебра /23/. Для записи использовалась линия 488 нм аргонового лазера, для восстановления - линия 632,8 нм гелий-неонового лазера. Для защиты слоев от фотохимического разрушения при хранении и считывании (при длине волны считывающего излучения короче 540 нм) были применены дополнительные слои mg f₂, sio₂ или al₂ o₃, наносимые после экспонирования и предотвращающие удаление i₂, выделяющегося при фотохимической реакции. Эти слои не требовали проявления. Возможно использование некоторых других йодидов. В отличие от описанных выше сред эти слои допускают лишь однократное использование. Слои с подобными характеристиками были ранее описаны и в отечественной литературе /24/.

5. Слои фоторезистов. В работах Шэнкоффа /25/ и Курта /26/ содержатся сведения о регистрации объёмных фазовых голограмм на слоях орторезиста фирмы Кодак толщиной от 0,055 до 0,63 мм, не подвергаемых проявлению после экспонирования. Экспонирование

этих слоев приводит к локальному изменению коэффициента их преломления на величину, превышающую 0,01.

Шеридон на тонких слоях высокоразрешающего фоторезиста, подвергаемых травлению и алюминированию, получил особо тонкие фазовые отражательные голограммы с концентрацией энергии в первом порядке дифракции, достигающей 73% /27/.

Позднее Лабейри /28/ получил на слоях фоторезиста дифракционные голографические решётки с частотой до 3000 штр/мм. Чувствительность некоторых фоторезистов к излучению аргонового лазера была определена в работе /29/.

6. Слои хромированного желатина. Применение слоев хромированного желатина для записи фазовых тонкослойных и объемных голограмм при длинах волн 488 и 514,5 нм (аргоновый лазер) было описано Шэнкоффом /25/. В качестве хронирующего агента были использованы бихромат аммония или пиридин-бихроматный комплекс. Для задубливания слоев перед экспонированием и сенсибилизацией использовался глиоксаль. После экспонирования слои проявляли в тёплой воде (35°С, 30 сек.) и обрабатывали изопропанолом в течение 50-60 секунд. Для защиты слоев от повышенной влажности был разработан специальный лак, не снижающий качества голограмм. Слои хромированного желатина были успешно использованы для записи фазовых дифракционных решёток, обладающих весьма высокой (до 90%) эффективностью в широкой области спектра.Эффективность превышала 50% в области от 400 до 800 нм. Были отмечены весьма малая интенсивность рассеянного света (менее 10^-4) и отсутствие "духов" /30-32/. Разрешающая сила этих решёток составляла 90% от теоретического значения.

7. Фотополимеризующиеся слои. В работе /33/ описано применение фотополимеризующегося слоя для регистрации голограмм, создаваемых излучением импульсного рубинового лазера (694,3 нм).Этот слой представлял собой раствор акрилатов бария и свинца в акриламиде, сенсибилизированный метиленовым голубым в присутствии нитроароматических соединений. При воздействии импульса лазерного излучения происходила полимеризация акрилатов.Последующее

УФ облучение превращало сенсибилизатор в бесцветную форму, а в результате происходящего при УФ облучении фотолиза нитросоединений блокировалась дальнейшая полимеризация свободного радикала. Полученные амплитудно-фазовые объемные голограммы обладали некоторым светорассеянием; их максимальная дифракционная эффективность превышала 45%.

8. Термопластические слои. Применение термопластических слоев для регистрации фазовых голограмм было описано в работе Урбаха и Мейера /34/. Толщина исходного термопластического слоя и напряжение подбирались таким образом, чтобы обеспечить так называемое резонансное разрешение, то есть преимущественную регистрацию одной пространственной частоты при подавлении других пространственных частот /35/. Частота резонансного разрешения, соответствующая несущей пространственной частоте голограммы, составляла от 210 до 1000 штр/мм. Область спектральной чувствительности полупроводникового слоя позволяла зарегистрировать голограммы, создаваемые излучением гелийнеонового лазера. Хотя описанные термопластичесние слои имели большую чувствительность и меньший уровень шумов, чей пластинки 649 фирмы Кодак, они не нашли пока широкого применения. Были опубликованы также сведения об использования прозрачных термопластических слоёв, деформирующихся в поле ультразвуковых колебаний, для регистрации акустических голограмм с последующим восстановлением оптического изображения /36,37/.

2. Регистрирующие среды, использующие тепловые эффекты

1. Мелкодоменые магнитные плёнки. Для регистрации голограмм было предложено использование мелкодоменных магнитных плёнок /38/. Потенциальные преимущества магнитных плёнок перед фотографическими материалами заключаются в большей оперативности получения информации, оптическом совершенстве структуры и способности к повторной записи. Запись осуществляется при тепловом воздействии луча лазера на предварительно ориентированную доменную структуру.

В работе /38/ были предложены три метода реконструкции волнового фронта, освованные, соответственно, на использовании магнитооптического эффекта Керра, на возбуждении в визуализации гиперзвуковых волн или на дифракции света решёткой, образованной на поверхности магнитной плёнки частицами магнитного коллоида. Позднее со общалось об экспериментальном наблюдении дифракции света на маг нитной плёнке с использованием первого и третьего методов визуализации /39,40/. Теоретическая оценка разрешающей способности метода была дана в работе /41/. На монокристаллических слоях mnbi было достигнуто разрешение 2000 штр/мм /42/.

2. Испаряющиеся металлические плёнки. Применение испаряющихся при воздействии импульса лазерного излучения тонких металлических плёнок для регистрации тонкослойнах амплитудных голограмм было описано в работе /43/. Были использованы слои золота, висмута, теллура, индия и других металлов толщиной несколько нм на стеклянной подложке. В другой работе /44/ было описано получение отражательных фазовых голограмм на поверхности пластин из меди и кремния методом испарения части поверхности при воздействии импульса излучения. Дифракционная эффективность голограмм, полученных на плёнках висмута, превышала 6% /45/.

3. Желатиновые слои. Для регистрации голограмм при длине волны 10,6 мкм (лазер на co₂) были успешно использованы слегка увлажнённые желатиновые слои, теряющие воду при нагреве и слегка изменяющие толщину /46/. Такие слои меняют фазу проходящего через них видимого света одновременно с ИК-излучением они просвечивались пучком излучения гелий-неонового лазера, что позволило немедленно наблюдать видимое восстановленное изображение (с соответствующим отношению длин волн уменьшением).

4. Эвапорографические слои, Эвапорографические слои, основанные на явлении испарения тонкого слоя жидкости при воздействии ИК излучения, обладают сравнительно высокой чувствительностью и разрешением, но имеют малое поле изображения - до 60 мм в диаметре /47-52/. Тем не менее существуют определёянне перспективы их использования для регистрации голограмы в ИК области и диапазоне радиоволн.

 

5. Термохромные слои и термографические экраны. Применение термохромных слоев, меняющих свой цвет при нагревании, для визуализации пучков излучения ИК лазера на СО₂ описано в работе /53/. На термохромных слоях, содержащих двойной йодид меди и ртути, было достигнуто разрешение 250 штр/мм и зарегистрированы голограммы при длине волны 10,6 ккм /54/. К этим слоям по своим характеристикам близки термографические экраны, использующие явление теплового тушения свечения люминофора, возбуждаемого непрерывным УФ облучением /55,56/.

6. Везикулярные плёнки. Для визуализации излучения лазера на СО₂ использовались также везикулярные плёнки "кальвар", в которых тепловое воздействие лазерного пучка приводило к формированию пузырькового изображения, сильно рассеивающего видимый свет /57,58/. Пузырьковое изображение в скрытом виде возникало при предварительном УФ облучении плёнки.

7. Жидкокристаллические слои. Применение плоских холестарических жидкокристаллических текстур для визуализации пучков излучения ИК лазеров было олисано в работах /59,60/. Цвета подобных текстур сильно зависят от их температуры и состава /61,62/. Жидкокристаллические слои нашли применение для регистрации голограмм в ИК области /63/ и в диапазоне радиоволн /64/, а также для реконструкции видимого изображения при просвечивании металлической копии микроволновой голограммы пучком радиоволн /65/.

8. Объёмные дифракционные решётки. Объёмные дифракционные решётки, менявшие свой цвет при нагревании, чрезвычайно близки по своим свойствам к жидкокристаллическим текстурам /66,67/. Изменение их цвета при изменении температуры, как и в случае жидких кристаллов, обусловлено изменением пространственного периода решётки. Однако, если жидкие кристаллы модулируют фазу световой волны, то описанные в работе /67/ объёмные дифракционные решетки, полученные методом голографирования во встречных пучках, модулируют амплитуду света. По-видимому, эти решения могут найти применение для регистрации голограмм в ИК области.

9. Галогенидосеребряные слои, предварительво засвеченные и пропитанные охлаждённым проявителем. Эти слои нашли применение для регистрации голограмм в области радиоволн /65,68/. Возникновение почернения в них происходит в участках, нагревающихся при поглощении радиоизлучения. После фиксирования и промывки полученные голограммы используются для реконструкции видимого изображения.

3. Регистрирующие среды,

использующие нелинейные оптические эффекты

1. Растворы красителей, обладающих нелинейными свойствами. Для получения динамических голограмм, существующих только в течение воздействия импульса лазерного излучения, было предложено применение растворов криптоцианиновых красителей, обладающих нелинейными свойствами /69,70/. Просветление раствора происходило при освещённости порадка 10⁸ вт/см². В опытах был использован тонкий слой (20 мкм) раствора, залитого между тончайшиии листками слюды. В этих работах была отмечена также возможность использования нелинейных сред на стадии реконструкции изображения для получения во втором порядке дифракции геометрически неискажённых видимых изображений при регистрации голограмм ИК излучением; при этом аберрации, связанные с изменением длины волны регистрирующего излучения по сравнению с реконструирующим, могут быть сведены к минимуму.

2. Нелинейные кристаллы. Для записи фазовых голограмм,создаваемых излучением аргонового лазера, был использован эффект "оптического повреждения" нелинейных кристаллов ниобата или танталата лития /71,72/. Этот эффект, приводящий к возникновению локальной модуляции коэффициента преломления кристалла, основан на фотовозбуждении захваченных ловушками электронов с последующей миграцией их до соседней ловушки. Пространственное поле зарядов, возникающее при смещении электронов, приводит к электро-оптическому эффекту изменения коэффициента преломления. Максимальное изменение коэффициента преломления было близко к 0,001.

Записанная голограмма сохранялась в течение нескольких часов. При нагревании кристалла до 170°С происходило стирание голограммы, после чего становилась возможной повторная запись. Интересно отметить, что сохраняемость голограмм на свету оказалась существенно выше, чем в темноте. При десятикратном повторении цикла запись-стирание не был обнаружен эффект усталости. Полученные объёмные фазовые голограммы обладали эффективностью, достигавшей 40%; при этом эффективность при освещении кристалла по направлению обыкновенного луча была на порядок ниже, чем при освещении по необыкновенному лучу.

3. Среды, использующие параметрическое суммирование частот. Использование параметрического эффекта суммирования частоты в нелинейном кристалле для получения изображения описано в работах /73-76/. Для смешения излучения с длиной волны 1,6 мкм с излучением накачки от рубинового лазера (0,69 мкм) был применен кристалл ниобата лития /73/; для смешения излучения 10,6 мкм с излучением рубинового лазера - кристалл прустита (ag₃ as s₃) /74,75/. Длина волны результирующего излучения в первом случае составляла 484,2 мм, во втором - 651,6 ни. Оценка разрешения метода дана в работе /75/. Хотя эти методы пока не нашли применения для регистрации голограмм, они могут рассматриваться как обладающие несомненными перспективами.

З а к л ю ч е н и е

Основные характеристики рассмотренных сред приведены в таблице. Там же для сравнения указаны свойства современных галогенидосеребряных фотоматериалов, предназначенных для регистрации голограмм.

Дальнейшее развитие голографии, несомненно, приведёт к разработке новых регистрирующее сред, обладающих высоким разрешением и повышенной чувствительностью и позволяющих подойти к теоретическому пределу дифракционной эффективности /77,78/.

Таблица

Свойства регистрирующих сред для голографии

Регистрирующая среда	Тип модуляции	Пороговая чуствительность дж/см2	Спектральная область чувствительности, мкм	Разре- шение, штр/мм	Время хранения изображе-ния	Харак- тер использования	Прим.
1	2	3	4	5	6	7	8
Галогенидосеребряные фотоматериалы: kodak 649f (США) Микрат ВР (СССР) agfa-gevaert 14С75 (ФРГ) Фотохромные стекла   Фотохромные кристаллы: kbr	Амплитудно-фазовая объемная   –"– –"–   амплитудная объемная   –"–	10-4       5∙10-5 3∙10-7   10-2 5∙10-2 2	>0,4-0,7       0,4-0,7 0,4-0,75   0,4-0,55 до 0,65 до 0,65	2000       1500 1500   >2000     >2000	∞       ∞ ∞   от 1 до 103 секунд   до суток	Однократн.     –"– –"–   многократн.   Многократн.	В режиме потемнения; стирание нагреванием. В режиме обесчвечивания после УФ - облуч. В режиме обесцвечивания; стирание УФ - облучением.

 

 

 

1	2	3	4	5	6	7	8
caf2 (la) caf2 (ce) srtio3 (fe+mo) srf2 (sm+nd) Фотохромные органические пленки Слои pb i2 Слои фоторезисторов   Слои хромированного желатина   Фотополимеризующ. слои Термопласти- ческие слои	Амплитудн. объемная –"– –"– –"– амплитудн. тонкослойн.   –"– фазовая объемная   –"–     ампл.-фаз. объемная фазовая объемная	0,15-0,6 1-3 0,1-0,3 1 5     0,1-0,3 10-5-10-2 (для 460 нм) 0,1 (для 515 нм) 10-2     10-2   10-3	До 0,65 до 0,65 до 0,65 до 0,65 до 0,63     0,4-0,54 до 0,52     до 0,5     до 0,7   до 0,63	>2000 >2000 >2000 >2000 >2000     >1000 3000     >2000     >1000   1000	24 часа 1 неделя 10 минут более недели от 5 мин до неск. сек   при защите до года ∞     ∞     ∞   ∞	Много- кратн. –"– –"– –"– –"– с явлен. усталости однократн. –"–     много- кратн.   Однокр.   Много-кратн.	В режиме обесцвечивания; после УФ облучения. После УФ-облучения. –"–             В режиме обесцвечивания; после УФ облучения.           Сохраняют светочувствительность после экспонирования.                   Требуют проявления.             Требуют УФ-облучения после экспонирования; обладают светорассеянием. Требуют дополнит. нагревания

 

 

 

 

 

 

1	2	3	4	5	6	7	8
Мелкодоменные магн. пленки Испаряющиеся метал. пленки Желатиновые слои Эвапорографиче-ские слои Термохромные слои Термографические слои Везикулярные пленки Жидкокристаллич. слои Объемные дифракц. решетки	амплитудн. тонкослойн. на отражен. амплитудн. тонкослойная фазовая объемная амплитудн. тонкосл. –"–   –"–   –"–   –"–   амплит. объемн.	1   0,01-10   50 10-4   2-5   0,05-0,1   0,6   0,02   не	неселек.   –"–   от 2,7 неселек.   –"–   –"–   –"–   –"–   –"–	2000   1000   25 20   10   8   150   0,5-1   5	∞   в течен. воздейств. ИК излучения несколько секунд. 5-10 сек.   1 сек.   ∞   доли сек.   неск. минут.	много-кратн. однократн.   многократн. –"–   –"–   –"–   однократн.   многократн. –"–	Свойства нестабильны, требуют предвар. увлажнения.                           Требуют одновремен. УФ облучения         Требуют предварит. УФ облучения, обладают светорассеянием                 Требуют предварит. увлажнения.

 

 

 

 

 

 

 

1	2	3	4	5	6	7	8
Фотослои, засвеченные и пропитанные холодным проявителем     Растворы криптоцианина   Кристаллы linbo3   Нелинейные кристаллы с параметрическим суммированием частот	ампл. объемн.           –"–     Фазовая объемн. амплит. объемн.	10-2             10     30-100   коэфф. преобразован. мощности накачки 10-6	неселект.             до 0,7     до 0,5   до 10,6 и более	100             250     2000   10-50	в течение воздейств. лазерного импульса часы   в течение воздейств. импульса накачки	однократн.             многократн.   –"–   –"–	Требуют предварит. засветки и пропитывания; должны использоваться сразу после пропитывания                                           стирание нагреванием           Требуют одноврем. накачки излучением мощного лазера в видимой области (напр. рубинового)

 

 

 

 

 

 

Л и т е р а т у р а

1. В.А.Цехомский. Оптико-механическая промышленность, № 7, стр. 58,

1967.

2.. b.b.bapгин, А.Я.Кузнецов, С.А.Степанов, В.А.Цехомский. Оптико-

механич.промышленность, № 1, стр.35, 1968.

3. c.k.megla. appl.optics, 5, 945 (1966).

4. j.p.kirk. appl.optics, 5, 1684 (1966).

5. w.j.baldwin. appl.optics, 6, 1428 (1967).

6. p.j.van heerden. appl. optics, 2, 393 (1963).

7. laser focus, 2, 12 (1966).

8. hocket-jet flying, 171-4, 2 (1967).

9. laser focus, 3, 9, 22 (1967).

10. Электроника (русский перевод), и 18, 40, стр.64, 1967.

11. К.А.Гарибашвили, В.В.Мумладзе, О.А.Чихладзе. ПТЭ, №5, стр.90, 1968.

12. q.kalman, applic.lasers photogr.inform.handl. washington,

d.d.,soc.phot.set.eng., 99-102, 1968.

13. v.v.aristov, v.s.shekhtman, v.b.timofeev, phys.letters, a28, 700 (1969).

14. d.b.bomosworth, h.j.gerritsen. appl.optics, 7, 93 (1969).

15. d.l.staebler, z.j.kiss. appl. phys.letters, 14, 93 (1969).

16. П.П.Феофилов. Оптико-механическая промышленность, №12,

cтр.62, 1968.

17. А.Л.Микаэлян, В.И.Бобринев, А.П.Аксенчиков, В.В.Шатун, Э.Х.Гуланян.

Доклады АН СССР, 181, 1105, 1968.

18. a.l.mikaeliane, a.p.axenchikov, v.i.bobirinev, e.h.gulaniane,

v.v.shatun. ieee j.quant.electron., 4, 757 (1968).

19. М.В.Савостьянова, А.Г.Воробьёв, Ю.Н.Поляков, Т.А.Шахвердов. Оптико-механич.промышленность, №4, стр.9, 1966.

20. Н.В.Савостьянова. Оптико-механич. промышленность. №5, стр.31, 1966.

21. М.В.Савостьянова, К.Н.Чиков. Оптико-механич. промышленность. №11,

стр.8. 1966.

22. s.herman. proc.symp.mod.optics, new york, n.y., 1967, brooklyn

politechn.press, 743 (1967).

23. m.b.tubbs, m.j.beesley, h.foster. j.phys. (brit.j.appl.phys.), d2, 197

(1969).

24. Н.Т.Костышин, Е.В.Михайловская, П.Ф.Романенко. Физика твёрдого

тела. 8, 571, 1966.

25. t.a.shankoff. appl.optics, 7, 2101 (1968).

26. c.h.kurts. appl.phys., 14, 59 (1969).

27. n.sheridon. appl.phys.letters, 12, 316 (1968).

28. a.labeyrie, j.flamand. opt.communs, 1, 5 (1969).

29. m.j.beesley, j.s.castledine, d.p.cooper. electron letters, 5, 257 (1969).

30. t.a.shankoff, r.k.curran. appl. phys.letters, 13, 239 (1968).

31. bell lab.record, 46, 276 (1968).

32. laser focus, 4, 17, 15 (1968).

33. d.h.close, a.d.jacobson, j.d.margerum, r.g.brault, mcclung.

appl.phys. letters, 14, 159 (1969).

34. j.urbach, b.w.meier. appl.optics, 5, 666 (1966).

35. j.urbach. photogr.sci.eng., 10, 287 (1966).

36. j.d.young, j.e.wolfe. appl. phys. letters, 11, 294 (1967).

37. josa, 57, 1279 (1967).

38. Л.М.Клюкин, Н.Н.Померанцев, В.А.Фабриков. Изв. АН СССР, Сер.физ., 31, 386, 1967.

39. М.И.Духанина, Л.М.Клюкин, В.А.Фабриков. Изв. АН СССР, сер.физ., 31, 783, 1967.

40. e.u.cohler, h.rubinstein, c.jones. j.appl.phys., 37, 2738 (1966).

41. Л.М.Клюкин, В.А.Фабриков, А.В.Хромов. Письма в ред. ЖЭТФ, 8, 406,

1968.

42. wireless world, 75, 1407, 402 (1969).

43. А.П.Комар, М.В.Стабников, Б.Г.Турухано, Н.Турухано. Оптика и спектр., 23, 827, 1967.

44. h.j.gerritsen, m.e.heller. j.appl.phys., 38, 2054 (1967).

45. j.j.amodei, k.s.mezrich. appl.phys.letters, 15, 45 (1969).

46. s.lowenthal, e.leiba, m.lucas, a.werts. compt.rend.acad. sci., 266, В1363 (1966).

47. Г.П.Фаерман, В.Н.Синцов, К.Б.Попова. Ошико-механическая промышленность, №11, стр.27, 1962.

48. В.Н.Синцов. Оптико-механическая промышленность, №12, стр.1, 1964.

49. Г.П.Фаерман, З.Н.Синцов. Жур. научн. и прикл. фотографии и кинематографии, 9, 297, 1964.

50. В.Н.Синцов. Оптико-механическая промышленность, №8, стр.21, 1967; №9, стр.6, 1968.

51. В.Н.Синцов, В.А.Миронов. Жур. научн. и прикл. фотографии и кинематографии, 13, 133, 1968.

52. v.n.sintsov. appl.optics, 6, 1851 (1967).

53. c.a.condas. ieee, j. quant.electron., 4, 40 (1968).

54. j.s.chivian, b.n.claytor, d.d.eden. appl. phys.letters, 15, 123 (1969).

55. j.d.mcgee, l.j.heilos. ieee. j.quant.electron, 3, 31 (1967).

56. t.j.brdges, e.q.burchardt. ieee j. quant.electron., 3, 168

(1967).

57. j.f.forkner, d.d.lowenthal. appl.optics, 6, 1419 (1967).

58. h.inaba, i.hiromasa. ieee j.quant.electron., 4, 45 (1968).

59. j.h.hansen, j.l.fergason, a.okaya. appl.optics, 3, 987 (1964).

60. i.melngailis, r.h.bediker. j.appl.phys., 37, 899 (1966).

61. И.Г.Чистяков. Жидкие кристаллы. Изд. "Наука", М., 1966.

62. j.l.fergason. appl.optics, 7, 1729 (1968).

63. c.l.munnerlyn, j.n.latta. appl. opt ics, 7, 1858 (1968).

64. h.e.stockman, b.zarwiyn. proc. ieee, 56, 763 (1968).

65. k.iizuka. electron.letters, 5, 2, 26 (1969).

66. h.gerharz. proc.ieee, 51, 862 (1963).

67. b.gerharz. messtechnik, 76, 4, 90 (1968).

68. k. iizuka. electron letters, 4, 4, 68 (1968).

69. h.j.gerritsen. Арр1.phys. letters, 10, 239 (1967).

70. h.j.gerritsen, b.g.ramberg, s.freeman. proc.symp.

mod.optics, new york, n.y., 1967, brooklyn polytecln.

press, 209, 1967.

71. f.s.chen, j.t.lamacchia, d.b.fraser. appl.phys.letters,

13, 223 (1968).

72. bell lab.record, 47, 30 (1969).

73. j.b. midwinter. ieee, j.ouant.electron.. 4. 716 (1968).

74. j.e.midwinter. appl.phys.letters, 12, 68 (1968); 14, 29 (1968).

75. j.winner. appl.phys.letters, 12, 222 (1968); 13, 360(1968).

76. d.А.kleman, g.d.boyd. j.appl.phys., 40, 546 (1969).

77. h.kogelnik. microwaves, 6, 11, 68 (1967).

78. h.kogelnik. proc.symp.mod.optiсs, new york, n.y., 1967, brooklyn